直流磁控溅射法制备银、石墨/聚四氟乙烯复合电磁屏蔽膜层的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

直流磁控溅射法制备银、石墨/聚四氟乙烯复合电磁屏蔽膜层的方法

基本信息

申请号	CN202110965325.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113416937B	公开（公告）日	2021-11-09
申请公布号	CN113416937B	申请公布日	2021-11-09
分类号	C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	杨红娜;蔡风园;修建	申请（专利权）人	北京航天天美科技有限公司
代理机构	天津市鼎拓知识产权代理有限公司	代理人	朱丽丽
地址	300300 天津市东丽区开发区四纬路26号院内1号厂房B区
法律状态	-

摘要

本申请涉及一种直流磁控溅射法制备银、石墨/聚四氟乙烯复合电磁屏蔽膜层的方法。将Ag颗粒和石墨粉末分散至PTFE中使得靶材具备导电性能，能够应用于直流溅射方法制备，避免了传统绝缘靶材采用射频溅射带来的成膜效率低、设备复杂等缺点。制备得到PTFE膜层能够降低铝蒙皮表面的表面能以达到疏水的目的，此外添加Ag粉末和石墨粉末后的PTFE靶材在溅射过程中Ag和石墨会在PTFE膜中形成Ag纳米颗粒和石墨纳米颗粒，纳米颗粒均匀分散在PTFE膜层中使得最终得到的PTFE表面呈现纳米级疏水结构，进一步提高疏水性能。石墨粉末与Ag粉末经过溅射后以纳米级颗粒的形式分散在PTFE膜层中，会对入射至膜层的电磁波产生反射次数，电磁屏蔽效能增强。