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一种碳纳米管修饰高密度吸氢中子靶及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110239911.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113038684A 公开（公告）日 2021-06-25
申请公布号 CN113038684A 申请公布日 2021-06-25
分类号 H05H6/00 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 中科超睿（青岛）技术有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 徐琪琦
地址 266199 山东省青岛市李沧区金水路171号28号楼8楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种碳纳米管修饰高密度吸氢中子靶及其制备方法，所述中子靶由基底和吸氢膜组成，所述基底的材料为Cu、Mo及上述金属的合金中的任意一种或多种的组合，所述吸氢膜由碳纳米管和纳米储氢材料混合而成。本发明针对目前常用钛膜中子靶存在吸氢密度低的关键问题，将具有高吸氢密度的碳纳米管材料引入吸中子靶膜，通过碳纳米管修饰储氢材料以提高中子靶膜总体吸氢量。同时对碳纳米管进行催化修饰后以进一步提高其吸氢量以及吸氢稳定性。此外，由于分散的碳纳米管阻碍了储氢材料在制备过程的晶粒长大，使其晶粒维持在纳米尺寸，有助于进一步提高中子靶膜吸氢量以及膜与基底的结合力。