一种基于耗尽管的高压充电管理芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110215586.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112865251A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112865251A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | H02J7/00(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 甘戈 | 申请（专利权）人 | 钰泰半导体南通有限公司 |
| 代理机构 | 重庆市诺兴专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 熊军 |
| 地址 | 226001江苏省南通市新康路33号40幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，所述芯片由稳压电路、检测控制电路以及耗尽型高压器件组成。所述稳压电路连接外部电压输入端，对所述外部电压进行转换后，作为所述检测控制电路的输入电压；所述检测控制电路连接电池充电端，用于检测充电电流/电压，并控制充电过程；所述耗尽型高压器件由一个横向扩散的耗尽型N型MOS管和一个二极管组成；所述横向扩散的耗尽型N型MOS的衬底通过所述二极管接地。本发明提出的所述高压充电管理芯片不包含电荷泵，可大大简化芯片系统架构，降低芯片成本，提高芯片可靠性，同时可在遭遇充电端插拔引起的尖峰高电压和适配器(充电器)工作异常输出高压时，避免芯片损坏。 |
