首页/ 四川和芯微电子股份有限公司/ 专利详情

单RAM多模块数据的缓存方法

基本信息

申请号 CN202110288714.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113076061A 公开（公告）日 2021-07-06
申请公布号 CN113076061A 申请公布日 2021-07-06
分类号 G06F3/06（2006.01）I;G06F12/0871（2016.01）I;G06F1/3234（2019.01）I 分类 计算；推算；计数;
发明人 何磊 申请（专利权）人 四川和芯微电子股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 610041四川省成都市高新区吉泰路33号A座9楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种单RAM多模块数据的缓存方法，其包括如下步骤：a.确定缓存于RAM内的模块数据的数量N，并根据USB内的数据传输速度M与实际系统时钟L，确定RAM内数据传输所需的位宽A；b.将N个模块数据分别按优先级别加上ACK反馈标识，每个所述ACK反馈标识均包含有优先级别信息；c.将加上ACK反馈标识的N个模块数据分别缓存至RAM内；d.按照优先级别依次对RAM内的N个模块数据进行读/写。本发明的单RAM多模块数据的缓存方法实现了单个RAM对多模块数据的缓存，减小了RAM所占用的芯片面积，相应减少了芯片的功耗，延长了芯片的使用寿命。