一种制备聚四氟乙烯电路板的方法和设备

基本信息

申请号 CN201610227227.9 申请日 -
公开(公告)号 CN105908134B 公开(公告)日 2018-11-09
申请公布号 CN105908134B 申请公布日 2018-11-09
分类号 C23C14/32;C23C14/02;C23C14/48;C23C14/14;H05K3/38 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 廖斌;王宇东;罗军;张旭;吴先映 申请(专利权)人 广东省广新创新研究院有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于离子束技术在聚四氟乙烯基底表面沉积超高结合强度的金属膜层及电路板的制备方法和设备;沉积超强结合力的金属膜层的制备方法包括:金属“注入+扩散层”和金属膜层;其中,该金属“注入+扩散层”的制备方法包括:利用气体离子源对基底进行大束流清洗,随后利用40KV高能金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源,向基底层注入金属元素形成金属“注入+扩散层”;金属膜层的制备方法包括:利用90度磁过滤阴极真空弧(FCVA)系统沉积1‑10微米的金属膜层。因此,采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属膜层和聚四氟乙烯基材具有很高结合力和抗剥离性。