半导体键合位姿补偿修复方法、装置及存储介质

基本信息

申请号 CN202110175659.0 申请日 -
公开(公告)号 CN112992735A 公开(公告)日 2021-06-18
申请公布号 CN112992735A 申请公布日 2021-06-18
分类号 H01L21/67;H01L21/603 分类 基本电气元件;
发明人 何良雨;刘彤;崔健 申请(专利权)人 锋睿领创(珠海)科技有限公司
代理机构 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 代理人 张小燕
地址 519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷18栋110室-534(集中办公区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体键合位姿补偿修复方法、装置及计算机可读存储介质,用于确定出用于键合的最佳补偿位姿,以提高键合效果。方法部分包括:获取裸芯片三维点云和基板三维点云;将裸芯片三维点云和基板三维点云转换到同一目标坐标系;在目标坐标系下,分别对裸芯片三维点云和基板三维点云进行实例分割,以分别获取裸芯片凸点点云和基板凸点点云;对裸芯片凸点点云和基板凸点点云进行键合配对,以确定所有键合对;根据键合对的工艺类型对所有键合对进行工艺类型分类,得到m种工艺类型下的键合对凸点点云;根据m种工艺类型下的键合对凸点点云,确定最佳补偿位姿。