一种具有异质栅介质的纳米片晶体管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011502515.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112736141A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112736141A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/51;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李高鹏 | 申请（专利权）人 | 西安国微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李园园 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区丈八街办科技二路72号西安软件园零壹广场10901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有异质栅介质的纳米片晶体管及制备方法；该纳米片晶体管包括：衬底、源区、漏区、栅极材料以及多个纳米片沟道层；其中，栅极材料包覆纳米片沟道层形成围栅结构；源区、围栅结构以及漏区沿沟道方向依次设置于衬底之上；沟道方向为从源区指向漏区的方向；栅极材料与纳米片沟道层的相邻面之间、与衬底的相邻面之间均设置有异质栅介质层；异质栅介质层包括沿沟道方向连续设置的多种栅介质材料，多种栅介质材料的相对介电常数随沟道方向逐渐降低；源区通过第一隔离介质与栅区实现隔离；漏区通过第一隔离介质与栅区实现隔离。本发明减轻了小尺寸场效应晶体管的短沟道效应，降低了关态电流泄漏，提升了小尺寸半导体器件的电学性能。 |
