晶圆几何参数以及晶圆上掩膜层的厚度的测量方法
基本信息
| 申请号 | CN202011569092.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864075A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112864075A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | G01B11/24(2006.01)I;G01B7/06(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾安 | 申请（专利权）人 | 南京力安半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人 | 秦卫中 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦1849室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种晶圆几何参数以及晶圆上掩膜层的厚度的测量方法。晶圆几何参数的测量方法中晶圆厚度的测量方法包括：利用气浮卡盘将晶圆悬浮在气浮卡盘的顶部表面上方预定距离D处,D≥0；利用激光器和位置传感器测量晶圆的正面上第一位置点的位置信息，以得到位置传感器读数Vx，晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面；利用电容传感器测量晶圆的背面上第二位置点的位置信息，以得到电容传感器读数CPn，第一位置点与第二位置点为晶圆中表征厚度的相对的两个位置点，晶圆的背面为晶圆靠近气浮卡盘的表面；根据Vx和CPn获取晶圆的厚度T晶圆，T晶圆为晶圆上第一位置点与第二位置点之间的距离。本申请实施例能够避免夹持工具或卡盘表面的伪像或痕迹等对晶圆几何参数的测量造成的较大测量误差。 |
