一种固相掺杂硅单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110523687.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115341270A | 公开（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申请公布号 | CN115341270A | 申请公布日 | 2022-11-15 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨志;郭志荣;王林;程立波;钟旭;刘有益 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种固相掺杂硅单晶的制备方法，包括：将多晶料和掺杂剂混合成的原料放入坩埚内；将晶体生长装置内部抽真空，通入氩气；将所述坩埚置入所述晶体生长装置中并熔化所述原料，得到熔体；籽晶接触所述熔体表面，当所述熔体表面稳定后开始引晶，直至晶棒脱离所述熔体表面，引晶结束。本发明的有益效果是有效的解决现有技术的掺杂方式只能掺杂元素的氢化物，并不是高纯元素，元素中的杂质越多，越对生长出来的晶棒不利，晶棒的质量比也会随之降低，且气体融入熔体时，不能保证均匀的融入，最终得到的晶棒也不能保证掺杂物的均匀，制得硅片的电学性能不能得到保证的问题。 |
