一种自动控制单晶硅电阻率的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110522365.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115341268A | 公开（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申请公布号 | CN115341268A | 申请公布日 | 2022-11-15 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘有益;高利强;杨志;程立波;钟旭;沈浩平;王彦君;王林;李建军 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种自动控制单晶硅电阻率的方法，在直拉单晶过程中进行气体掺杂，包括：设定气体掺杂开启节点及气体流量；进行单晶拉制；在单晶拉制的过程中，获取坩埚内熔体的接触电压，并根据接触电压自动计算单晶电阻率；判断单晶拉制进程，若满足设定的气体掺杂开启节点条件，控制气体输入单晶炉内，进行掺杂；同时，根据计算的单晶电阻率控制气体的流量变化，控制单晶轴向电阻率；否则，继续单晶的拉制。本发明的有益效果是增设自动通气系统，设定掺杂气体开始掺杂的条件，控制系统控制自动通气系统动作，通入掺杂气体，根据单晶与坩埚内不同重量的熔体的接触电压得到单晶的电阻率，自动控制掺杂气体的流量变化，控制单晶电阻率的轴向衰减。 |
