一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法
基本信息
| 申请号 | CN202110522363.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115341267A | 公开（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申请公布号 | CN115341267A | 申请公布日 | 2022-11-15 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨志;刘有益;程立波;钟旭;沈浩平;王彦君;王林;李建军 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种控制掺镓单晶电阻率的掺杂方法，包括：掺镓单晶拉制过程中进行磷元素的掺杂，采用含有磷元素的掺杂气体进行掺杂，且在掺杂过程中长晶设备内为负压环境，使得掺杂气体自动进入长晶设备内；获取单晶的拉制长度，并将获取的单晶长度与标准长度值进行对比，若获取的单晶长度达到标准长度值，则向长晶设备内通入掺杂气体。本发明的有益效果是单晶轴向电阻率可受控，改变镓在单晶中分凝效果，掺杂剂磷化氢易获取，掺杂简单，掺杂时间及掺杂位置范围宽，棒长增加情况下，单晶轴向电阻率表现优于纯掺镓单晶轴向电阻率分布。 |
