一种自动控制单晶硅电阻率的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110522362.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115341266A | 公开（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申请公布号 | CN115341266A | 申请公布日 | 2022-11-15 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘有益;杨志;程立波;钟旭;沈浩平;王彦君;王林;李建军 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种自动控制单晶硅电阻率的方法，在直拉单晶过程中进行气体掺杂，包括：设定气体掺杂开启节点及气体流量；进行单晶拉制，判断单晶拉制的颗次；在拉制每颗次单晶过程中，判断单晶拉制进程，若满足设定的气体掺杂开启节点条件，控制气体输入单晶炉内，进行掺杂，根据单晶电阻率的变化控制气体流量变化，控制单晶轴向电阻率；否则，继续单晶的拉制。本发明的有益效果是增设自动通气系统，设定掺杂气体开始掺杂的条件，在拉制每颗次单晶时控制系统控制自动通气系统通入掺杂气体，根据不同颗次单晶拉制时坩埚内熔体内杂质的浓度得到单晶的电阻率，自动控制掺杂气体的流量变化。 |
