一种控制单晶电阻率轴向衰减速率的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110523699.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115341271A | 公开（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申请公布号 | CN115341271A | 申请公布日 | 2022-11-15 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高利强;刘有益;杨志;程立波;钟旭;沈浩平;王彦君;王林;李建军 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种控制单晶电阻率轴向衰减速率的方法，在拉制掺镓单晶过程中，进行磷元素掺杂，随着单晶长度的增加，进行含磷元素气体或含磷元素固体掺杂，单晶长度每增长一个长度变化量，含磷元素气体的流量增加一个流量变化量或含磷元素固体的重量增加一个重量变化量；或，随着坩埚内剩料重量的减少，进行含磷元素气体或含磷元素固体掺杂，坩埚内剩料的重量每减少一个剩料重量变化量，含磷元素气体的流量增加一个第一流量变化量或含磷元素固体的重量增加一个第一重量变化量。本发明的有益效果是随着单晶长度的增加或随着坩埚内剩料的重量逐渐减少，使用持续含磷元素气体或含磷元素固体进行磷元素掺杂，有效抑制电阻率衰减，单晶电阻率一致性更好。 |
