一种直拉单晶初始复投工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110556750.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN115369475A | 公开（公告）日 | 2022-11-22 |
| 申请公布号 | CN115369475A | 申请公布日 | 2022-11-22 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵国伟;王林;谷守伟;张文霞;王建平;吴树飞;郝瑞军;安伟;菅向红;郭志荣 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种直拉单晶初始复投工艺，步骤包括：载有熔硅原料的石英坩埚的上端面至熔硅液面具有一定高度；使具有所述一定高度的所述石英坩埚的内侧环壁面产生析晶相变，获得一层α‑方石英结构的石英体；向析晶后的所述石英坩埚进行复投硅原料。本发明在不影响石英坩埚总的装料量前提下，可使石英坩埚靠近固液界面的上沿内壁被高温充分烘烤，使其逐步完全析晶获得一层致密且稳定的α‑方石英结构的保护层，且耐腐蚀度高，使在首颗单晶拉制过程中，石英坩埚内壁不易出现气泡破裂或石英脱落问题，从而可减少拉晶过程中杂质的含量，进而改善成晶效果。与现有初始复投工艺相比，本发明提出的复投工艺，可使初始拉制硅棒的成晶率提高15％以上。 |
