含有小分子半导体化合物和非导电聚合物的薄膜半导体
基本信息
| 申请号 | CN201580046075.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107207492A | 公开（公告）日 | 2017-09-26 |
| 申请公布号 | CN107207492A | 申请公布日 | 2017-09-26 |
| 分类号 | C07D471/00;H01L29/76;H01L51/30;H01L51/05 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | T·魏茨;T·格斯纳;刚也纯一;己史公之 | 申请（专利权）人 | 巴斯夫（中国）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址 | 韩国首尔 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜半导体，其含有式I或II的化合物，其中R1和R2在每次出现时独立地选自C1‑30烷基、C2‑30链烯基、C2‑30炔基和C1‑30卤代烷基，R3、R4、R5和R6独立地是H或吸电子基团，其中R3、R4、R5和R6中的至少一个是吸电子基团；和含有非导电聚合物。 |
