一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法
基本信息
| 申请号 | CN201810932998.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110835781B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN110835781B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | C30B33/02;C30B29/30 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 沈丽明;郭国标;吉成;王一峰;何大方;暴宁钟 | 申请（专利权）人 | 江南石墨烯研究院 |
| 代理机构 | 常州易瑞智新专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 谭典 |
| 地址 | 213100 江苏省常州市武进经济开发区腾龙路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及晶体材料后处理领域，特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定质量比机械球磨，均匀混合后得到复合还原剂；将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中并填充复合还原剂；然后将其置于气氛炉中，在保护气体气氛中，以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2h；自然冷却后取出即得铌酸锂或钽酸锂黑片。通过本发明制备的铌酸锂或钽酸锂黑片，在不影响压电性能的前提下，电阻率下降了2~3个数量级，热释电效应明显减弱。本发明采用的铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高，适合于工业化生产。 |
