一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池

基本信息

申请号 CN202111152795.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113913791A 公开(公告)日 2022-01-11
申请公布号 CN113913791A 申请公布日 2022-01-11
分类号 C23C16/505(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 许烁烁;彭宜昌;杨彬;徐伟;李涛;吴易龙 申请(专利权)人 湖南红太阳光电科技有限公司
代理机构 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 代理人 何文红
地址 410205湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池,该制备方法包括:在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下,利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法,通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜,不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤,有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率,而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率,减少镀膜时间,有利于提高设备产能,具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点,同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点,能够直接利用现有设备进行制备,适合性强,便于工业化利用。