单晶硅片表面的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201210133682.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103382578A | 公开（公告）日 | 2013-11-06 |
| 申请公布号 | CN103382578A | 申请公布日 | 2013-11-06 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘万学;程明辉;刘志坚;王月;王磊;孙胜;曲爽;王长宇 | 申请（专利权）人 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 代理机构 | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 | 代理人 | 石岱 |
| 地址 | 136001 吉林省四平市烟厂路1118号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种太阳能电池生产中单晶硅片表面处理的技术，具体的说是一种使硅片表面处理洁净，方便硅片制绒的单晶硅片表面的处理方法，该方法是通过混酸处理、碱性溶液处理两个工艺步骤实现的，本发明方法，使硅片表面更加洁净，方便硅片的制绒，提高硅片外观效果和效率。 |
