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一种太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法

基本信息

申请号	CN201010176851.3	申请日	-
公开（公告）号	CN102244152B	公开（公告）日	2013-09-04
申请公布号	CN102244152B	申请公布日	2013-09-04
分类号	H01L31/20(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨继泽;刘万学;张兵;刘志坚;强艳建	申请（专利权）人	吉林庆达新能源电力股份有限公司
代理机构	吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司	代理人	吉林庆达新能源电力股份有限公司
地址	136001 吉林省四平市烟厂路1118
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种在太阳能电池生产中非晶硅薄膜的沉积方法，该方法是采用隧道式结构形式的非晶硅薄膜沉积设备通过以下步骤实现的，首先电池在挂有电池挂片箱的传送导轨的带动下一次两片经进片台进入设备中，经缓冲仓室依次进入加热仓室中，分别经过温度由低至高的三次加热，三次加热后进入到P层沉积仓室中沉积P层，进入PI层混合沉积仓室沉积PI混合层、再进入六个I层沉积仓室，经过六次分别沉积形成I层，沉积形成I层后进入IN层混合沉积仓室沉积IN混合层，然后进入两个N层沉积仓室中两次沉积形成N层；最后经缓冲室、出片台出设备，进入下一工序设备中；在设备运行过程中真空系统通过连接到各个仓室的真空管道控制各个仓室的真空值，阀门将各个仓室隔开使各个仓室形成相对独立的空间，从而达到沉积非晶硅薄膜的目的。