多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201410110366.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104952969A | 公开（公告）日 | 2015-09-30 |
| 申请公布号 | CN104952969A | 申请公布日 | 2015-09-30 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁彦龙;刘万学;曲爽;王月;王磊;李岩峰;韩丽;侯文会 | 申请（专利权）人 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 代理机构 | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 | 代理人 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
| 地址 | 136001 吉林省四平市铁东区烟厂路1118号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种将晶硅太阳能电池异常镀膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法，该方法包括氢氟酸去膜和混酸处理两个步骤，本发明处理方法使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。 |
