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一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法

基本信息

申请号 CN201110171010.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102842642A 公开（公告）日 2012-12-26
申请公布号 CN102842642A 申请公布日 2012-12-26
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘万学;张兵;王德宏;崔学国;刘志坚 申请（专利权）人 吉林庆达新能源电力股份有限公司
代理机构 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 代理人 吉林庆达新能源电力股份有限公司
地址 136001 吉林省四平市铁东区烟厂路1118号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂的方法。该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。本发明解决了现有技术的不足，能够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺生产的单晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电池的少子寿命，开路电压、短路电流、填充因子，从而提高单晶硅电池的整体效率和产品的价值。