半导体制冷片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010548662.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113809224A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113809224A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L35/34（2006.01）I;H01L35/32（2006.01）I;F25B21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李永辉;李俊俏;周维 | 申请（专利权）人 | 比亚迪汽车工业有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 尚伟净 |
| 地址 | 518118广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了半导体制冷片及其制作方法。方法包括：提供半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，且电偶对与导线电连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；形成封装结构，令封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽，令导线贯穿封装结构，并延伸至封装结构的外侧，以获得半导体制冷片。由此，获得的半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。 |
