一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010651681.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111996493A | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN111996493A | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | C23C14/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 冯润东;张文伟 | 申请（专利权）人 | 西安中科阿尔法电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司 |
| 地址 | 710119陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法，解决现有磁电阻增加磁阻率的方式会增加生产周期、降低产能的问题。该提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法包括以下步骤：步骤一、清洗硅片，将干净的硅片固定至溅射室的样品盘上；步骤二、对溅射室抽高真空，当真空度在低于设定值时，通入氩气；步骤三、打开高能离子源，高能离子源对硅片清洗进行，清洗完成后关闭高能离子源；步骤四、设定溅射功率，设置溅射的偏置电压，设定溅射时间，保持溅射室的工作气压在设定值；步骤五、根据步骤四设定的参数，开始溅射NiFe，同时，再次打开高能离子源，使得高能离子源的离子束流照射至硅片。 |
