一种晶格缺陷可调控型长余辉发光材料
基本信息
| 申请号 | CN03146271.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1470598A | 公开（公告）日 | 2004-01-28 |
| 申请公布号 | CN1470598A | 申请公布日 | 2004-01-28 |
| 分类号 | C09K11/80 | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 李咏春;赵文解 | 申请（专利权）人 | 重庆上游发光材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 404500重庆市云阳新县城张家坝工业区上游巷1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种名义组成为(M1－xEux)O·m(AlyB1－y)203·nSiO2：Rw，R’z的长余辉光致发光材料，其中M为Ca、Sr、Ba等元素中的一种或多种，R为Dy、Ho、Er、Nd、Pr等稀土元素中的一种或多种，R’为F、Cl、P等非金属高电负性元素中的一种或多种，x、y、w、z、m、n值范围见说明书定义。Eu作为发光中心，直接进到基质晶格的阳离子位置，而R和R’作为陷阱的调控剂，来产生余辉和调控余辉时间与发光亮度。本发明首次提出通过调控缺陷陷阱的深度和数量来合成长余辉发光材料，利用高电负性非金属元素和变价稀土离子来产生复合晶格缺陷，实现余辉时间和亮度的调控。 |
