一种钐钴磁体铸片及其处理方法、钐钴稀土磁体及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110472241.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113393994A 公开(公告)日 2021-09-14
申请公布号 CN113393994A 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01F1/055(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴茂林;傅忠伟;师大伟;王国雄;郑汉杰;欧阳福忠 申请(专利权)人 福建省长汀卓尔科技股份有限公司
代理机构 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 代理人 李强;杨泽奇
地址 366300福建省龙岩市长汀县策武镇稀土工业园一期大道
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及稀土永磁材料技术领域,特别涉及一种钐钴磁体铸片及其处理方法,钐钴磁体铸片包括以下元素:Cu、Zr、Sm、Fe、Co;所述钐钴磁体铸片中各元素的原子百分比为c(N),其中N为对应的元素;所述钐钴磁体铸片的任一表面或断面上任意区域内各元素的原子百分比为c'(N),Δc(N)是c(N)与c'(N)之差的绝对值;Δc(Cu)≤5at%,Δc(Zr)≤3at%,Δc(Sm)≤6at%,Δc(Fe)≤7.5at%,Δc(Co)≤4.5at%。本发明通过调节元素的空间分布,优化铸造物相,使磁体获得最大比例的主相物相,从而在保持高的剩磁前提下,亦可获得较高的矫顽力,工艺敏感性降低。