一种钐钴稀土磁体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110472240.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113388757A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113388757A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | C22C19/07（2006.01）I;C22C1/02（2006.01）I;B22F3/16（2006.01）I;H01F1/055（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 吴茂林;师大伟;王国雄;傅忠伟 | 申请（专利权）人 | 福建省长汀卓尔科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门加减专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李强;杨泽奇 |
| 地址 | 366300福建省龙岩市长汀县策武镇稀土工业园一期大道 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及永磁材料技术领域，特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法，其中，所述钐钴稀土磁体制备方法中的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段，所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa～15kPa，熔炼温度从常温升温至T1，所述T1为1050℃～1100℃；所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa～50kPa，熔炼温度从T2升温至T3，所述T2为1050℃～1100℃,所述T3为1250℃～1350℃；所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa～90kPa，熔炼温度从T4升温至T5，所述T4为1250℃～1350℃，所述T5为1500℃～1600℃。本发明通过采用分段加压的熔炼方式以减小熔炼过程中钐的挥发量，从而得到高性能的钐钴磁体。 |
