一种铸造单晶硅的热场结构

基本信息

申请号 CN202021224940.6 申请日 -
公开(公告)号 CN213295568U 公开(公告)日 2021-05-28
申请公布号 CN213295568U 申请公布日 2021-05-28
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分类 -
发明人 陈红荣;孙庚昕;蒋利洋;居发亮;胡动力;张华利 申请(专利权)人 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 董建林
地址 221000江苏省徐州市经济开发区坡里路东、黄石路南
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种铸造单晶硅的热场结构,包括隔热笼,设置在隔热笼内部的耐高温坩埚,设置在耐高温坩埚底端的石墨底板、DSS石墨导热板,隔热条和石墨导热条,所述DSS石墨导热板的上端面为凸台结构,所述的隔热条设置在所述DSS石墨导热板四周的边缘,所述的石墨导热条设置在所述石墨底板、DSS石墨导热板和隔热条三者合围的空隙中;在所述隔热笼的底部设有至少三层石墨硬毡隔热板,所述石墨硬毡隔热板的边缘自下而上呈台阶状逐级缩减。通过采用本实用新型的热场结构,能够有利于热量的散热,从而使得长晶固液界面趋向于水平面,使得边缘硅块的位错大幅度降低,利于生产出界面平整的籽晶,有利于单晶的铸造。