用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用
基本信息
| 申请号 | CN202011444417.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112609241A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112609241A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | C01B33/02(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张华利;吴义华 | 申请（专利权）人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 孔令聪 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用。用于硅晶体生长的硅原料包括按照质量份数的如下组分：硅粉70份～99份；以及硅碎片1份～30份；硅粉的颗粒尺寸为0.1μm～1000μm；硅碎片的颗粒尺寸为1mm～100mm。本发明用于硅晶体生长的硅原料中，将硅原料压制成块状料的过程中，颗粒尺寸较大的硅碎片起到骨架和支撑作用，而颗粒尺寸较大的硅碎片和颗粒尺寸较小的硅粉混合，可以增加分子之间的相互作用力。整体能够增加块状硅原料的强度和韧性，使压缩后的硅原料不容易断裂或破碎，从而能够提高硅原料的堆积密度，从而提高生产效率，有利于应用。本发明还涉及一种用于硅晶体生长的硅原料的制备方法，以及上述硅原料在铸造多晶硅或者铸造单晶硅中的应用。 |
