铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010758499.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111876821A | 公开（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申请公布号 | CN111876821A | 申请公布日 | 2020-11-03 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 | 申请（专利权）人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。 |
