籽晶铺设方法和单晶硅铸造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110583418.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113293434A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113293434A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈红荣;孙庚昕;张华利;汪晨 | 申请（专利权）人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林青中 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种籽晶铺设方法和单晶硅铸造方法，该籽晶铺设方法包括如下步骤：在铸造容器底部铺设多块单晶籽晶，并将多块单晶籽晶整体拼合为籽晶层，在侧面相拼接的单晶籽晶中，相互接触的两个侧面之间的晶向不同；多块单晶籽晶包括至少一块长方形籽晶与多块第一正方形籽晶，多块第一正方形籽晶拼接形成整体呈正方形的基础籽晶部，长方形籽晶的长边与基础籽晶部的侧边对齐拼接，长方形籽晶长边的长度与基础籽晶部侧边的长度相等，长方形籽晶的短边长度大于第一正方形籽晶的边长。该籽晶铺设方法能够在生长的硅锭的最外围形成牺牲区域，进而通过舍去牺牲区域，提高了位于小方锭整体的良品率。 |
