首页/ 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司/ 专利详情

铸锭单晶籽晶、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010673754.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111910248A 公开（公告）日 2020-11-10
申请公布号 CN111910248A 申请公布日 2020-11-10
分类号 C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘海;张华利;胡动力 申请（专利权）人 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
地址 221004江苏省徐州市经济开发区杨山路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种铸锭单晶籽晶及其制备方法、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸锭单晶籽晶内掺杂有掺杂元素，掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积，掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米。应用本发明技术方案的铸锭单晶籽晶，由于掺杂元素的原子体积大于硅的原子体积，且掺杂元素的掺杂浓度大于5×10^15个原子/立方厘米，能够在长晶之前熔化阶段的热处理过程中明显抑制氧沉淀，以保持晶体结构在熔化阶段热处理后的完美性，减少了位错滋生，提高铸锭良率和硅片效率，从而达到降本增效的目的。