铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010615807.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111893556A | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN111893556A | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈红荣;胡动力;孙庚昕;宋亚飞;张华利 | 申请（专利权）人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。上述籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。 |
