稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉
基本信息
| 申请号 | CN202123383164.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216639712U | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN216639712U | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张兴茂;徐慶晧;王忠保;伊冉;闫龙;李小红 | 申请（专利权）人 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴，在中空层中安装阻隔件，阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔，避免测温玻璃被熏黑，解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。 |
