直拉硅单晶的掺杂装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110829948.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113549994B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN113549994B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B15/04（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘进;王忠保;李巨晓;芮阳;魏兴彤;马小龙;虎永慧 | 申请（专利权）人 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于直拉硅单晶的掺杂装置及方法，属于直拉法生产单晶硅设备技术领域，包括石英内胆、石英钟罩和石英杯，在石英钟罩内设置石英内胆，石英杯内置于石英内胆，在内胆本体的上端从上而下依次盖合有第一石英盖、第二石英盖，第一石英盖与第二石英盖之间形成排气腔，第二石英盖上设置有第一通气孔，第一通气孔上垂直安装有调压管，排气片盖合在第一通气孔上，在内胆本体的环壁上设有第二通气孔，第二通气孔位于所述第一石英盖与第二石英盖之间，在掺杂过程中，通过排气片、调压管及通气孔可调节石英内胆内的压力，避免冒泡现象的产生，减少掺杂剂的挥发，使得气化掺杂剂充分融入硅熔液中进行掺杂，提高掺杂率，减少炉内污染。 |
