商标信息2
专利信息60
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种具有横向变掺杂的半导体终端结构及制备方法 | 发明专利 | CN202111339169.6 | CN114141858A | 2022-03-04 |
| 2 | 一种抗EMI的超结VDMOS器件及制备方法 | 发明专利 | CN202111341785.5 | CN114093951A | 2022-02-25 |
| 3 | 一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管 | 实用新型 | CN202122040702.0 | CN215771134U | 2022-02-08 |
| 4 | 表面贴装且陶瓷金属外壳的电子器件的封装模具及方法 | 发明专利 | CN202010235816.8 | CN111403300B | 2022-01-28 |
| 5 | 一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法 | 发明专利 | CN202111225790.X | CN113889466A | 2022-01-04 |
| 6 | 一种基于D-5A外形的二极管陶瓷金属外壳 | 实用新型 | CN202121595452.0 | CN215266257U | 2021-12-21 |
| 7 | 一种底部厚氧沟槽MOSFET器件的制造方法 | 发明专利 | CN202111067785.0 | CN113782444A | 2021-12-10 |
| 8 | 复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件 | 发明专利 | CN202111076072.0 | CN113745173A | 2021-12-03 |
| 9 | 用于TO-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法 | 发明专利 | CN202110994205.6 | CN113745168A | 2021-12-03 |
| 10 | 具有沟槽结构的高压平面栅MOS器件及其加工工艺 | 发明专利 | CN202110894294.7 | CN113611748A | 2021-11-05 |
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