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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种离子自对准注入的超结MOSFET及其制造方法	发明专利	CN201210074043.5	CN103325681B	2016-04-20
2	超结MOSFET	发明专利	CN201210073756.X	CN103325825B	2016-01-27
3	超结MOSFET	发明专利	CN201210073756.X	CN103325825A	2013-09-25
4	一种离子自对准注入的超结MOSFET及其制造方法	发明专利	CN201210074043.5	CN103325681A	2013-09-25
5	一种多晶硅柱超结MOSFET结构	实用新型	CN201220104991.4	CN202662612U	2013-01-09
6	离子自对准注入的超结MOSFET	实用新型	CN201220104916.8	CN202662611U	2013-01-09

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