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进入ASRAM芯片内部测试模式的方法

基本信息

申请号 CN201110158151.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102831934B 公开（公告）日 2015-03-11
申请公布号 CN102831934B 申请公布日 2015-03-11
分类号 G11C29/12(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 童明照 申请（专利权）人 芯成半导体（上海）有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 芯成半导体（上海）有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路647弄12号-13号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种进入ASRAM芯片内部测试模式的方法，包括：步骤一，当ASRAM芯片的写周期使能脚输入一个低电平时，在ASRAM芯片的读周期输出使能脚输入2个以上连续的下降沿，且下降沿的同时在地址线上对应有连续的代码，同时所述代码和预定义在所述ASRAM芯片上的验证代码一致时，启动内部测试模式的使能信号，内部测试模式窗口打开；步骤二，在随后读周期输出使能脚输入上升沿时，锁存同时在所述地址线上输入的测试模式代码，并根据所述测试模式代码触发进入具体测试模式。本发明的方法，利用ASRAM芯片本身现有的pin脚，通过代码触发进入内部测试模式，降低了产品测试的难度。