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闪存及其读取方法

基本信息

申请号 CN201410398312.2 申请日 -
公开（公告）号 CN104157307B 公开（公告）日 2017-09-29
申请公布号 CN104157307B 申请公布日 2017-09-29
分类号 G11C16/06(2006.01)I;H01L27/115(2017.01)I 分类 信息存储;
发明人 张有志;林志光;陶凯;宁丹;谢健辉;沈安星 申请（专利权）人 芯成半导体（上海）有限公司
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 代理人 芯成半导体（上海）有限公司
地址 200030 上海市徐汇区漕溪北路28号21C室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件，公开了一种闪存及其读取方法。本发明中，该闪存中的每个闪存单元包含一个选择栅PMOS晶体管、一个控制栅PMOS晶体管和一个读取选择栅PMOS晶体管，选择栅PMOS晶体管、控制栅PMOS晶体管和读取选择栅PMOS晶体管通过第一电极和第二电极串连接；读取选择栅PMOS晶体管的栅氧化层电学厚度、沟道长度和阈值电压的绝对值均小于选择栅PMOS晶体管的相应数值。本发明的3T PMOS闪存具有专用于读取的读取选择栅PMOS晶体管，可从整体上提高闪存的读取效率，有效减少读取功耗，克服现有2T PMOS闪存在读取操作时充放电时间过长、动态电流过高、读取功耗过高等缺点。