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混合结构的存储器阵列及其制备方法

基本信息

申请号 CN201410284354.3 申请日 -
公开（公告）号 CN104037174B 公开（公告）日 2016-09-07
申请公布号 CN104037174B 申请公布日 2016-09-07
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陶凯;林志光 申请（专利权）人 芯成半导体（上海）有限公司
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 代理人 成春荣;竺云
地址 200030 上海市徐汇区漕溪北路28号21C室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种混合结构的存储器阵列及其制备方法。在本发明的混合结构的存储器阵列中，ROM单元的结构与闪存单元的结构的区别仅在于沟道注入、栅极与浮栅的连接以及电极的有无，仅需修改3层光罩，即可将2T?pMOS闪存单元转换成ROM单元，因此可以在同一个工艺制程、同样的面积的前提下，实现不同容量的闪存阵列和ROM阵列的自由组合，并且闪存阵列和ROM阵列在外观上几乎一致、位置分布上可以随意调整，在显著降低生产成本的同时，大大增加了产品的适用范围和市场应变能力，并有效提升了产品的安全等级。