闪存的擦除方法、读取方法及编程方法
基本信息
| 申请号 | CN201310473408.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103514954B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN103514954B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张有志;陶凯 | 申请（专利权）人 | 芯成半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 芯成半导体（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路647弄13号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种闪存的擦除方法、读取方法及编程方法。本发明中，该闪存在执行擦除操作时，设置被选中进行擦除的扇区的N型阱的电位为8V～12V，位线电位为4V～6V，字线电位为-7V～-10V；在执行读取操作时，设置每个扇区的所述N型阱的电位为VCC，所述被选中进行读取的闪存单元的位线电位为VCC，源线电位为0V；在执行编程操作时，设置被选中编程的闪存单元的位线电位为VCC-6.5V～VCC-4.5V，字线电位为VCC+6V～VCC+9V。通过充分考虑芯片的生产工艺、芯片的电路设计、闪存器件特性、芯片质量以及芯片成本等诸多因素后，制定出了优化的适用于NOR型嵌入式2T?PMOS闪存的擦除、读取和编程条件。 |
