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闪存的操作方法

基本信息

申请号 CN201610634627.1 申请日 -
公开（公告）号 CN106205715A 公开（公告）日 2016-12-07
申请公布号 CN106205715A 申请公布日 2016-12-07
分类号 G11C16/26(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 林志光;沈安星;谢健辉 申请（专利权）人 芯成半导体（上海）有限公司
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 代理人 成春荣;竺云
地址 201206 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区锦绣东路2777弄25号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件，公开了一种闪存的操作方法。本申请中，在对闪存单元执行读取操作时，同一行的选择栅PMOS晶体管的栅极所连接形成的第一控制线的电位从正电源电压切换到0V，由于不需要从正电压切换到负电压，大大降低了泵浦电路的功耗，同时对选择栅PMOS晶体管的栅极氧化层厚度和阈值电压进行适当的设置，使得被选中读取的闪存单元的读取电流能够准确代表被读取单元的状态。此外，在读取路径上去掉高压器件、仅使用低压器件，可以在执行读取操作时显著提高读速度。