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闪存单元的制备方法

基本信息

申请号 CN201710188414.5 申请日 -
公开（公告）号 CN106981493B 公开（公告）日 2018-10-23
申请公布号 CN106981493B 申请公布日 2018-10-23
分类号 H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 分类 基本电气元件;
发明人 沈安星;林志光 申请（专利权）人 芯成半导体（上海）有限公司
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 代理人 芯成半导体（上海）有限公司
地址 201206 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区锦绣东路2777弄25号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件的制备方法，公开了一种闪存单元的制备方法。在本申请的闪存单元的制备方法中，在将选择栅PMOS晶体管区域的逻辑栅与控制栅PMOS晶体管区域的逻辑栅隔开后，通过后续的高温工艺，将选择栅PMOS晶体管区域的逻辑栅中注入的P型杂质扩散到N型浮栅多晶硅层，以把N型浮栅变为P型浮栅，从而能够在55nm尺寸的闪存单元中成功制备表面沟道阈值较小的选择栅PMOS晶体管，以实现量产。此外，通过两次生长逻辑栅的工艺以及逻辑栅隔开的工艺可以使得在形成阈值较小的选择栅PMOS晶体管的表面沟道的同时不影响控制栅PMOS晶体管的浮栅掺杂。