首页/ 厦门半导体工业技术研发有限公司/ 专利详情

阻变存储器、阻变元件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011055087.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112133826A 公开（公告）日 2020-12-25
申请公布号 CN112133826A 申请公布日 2020-12-25
分类号 H01L45/00;H01L27/24 分类 基本电气元件;
发明人 王丹云;刘宇;沈鼎瀛;邱泰玮;康赐俊;单利军 申请（专利权）人 厦门半导体工业技术研发有限公司
代理机构 厦门创象知识产权代理有限公司 代理人 厦门半导体工业技术研发有限公司
地址 361000 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种阻变元件的制备方法，所述阻变元件包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的阻变层，以形成MIM结构，制备方法包括以下步骤：在制备好第一金属块M1后，采用刻蚀工艺、沉积工艺和磨平工艺交叉进行，以制备所述底电极、所述阻变层和所述顶电极；在制备所述阻变层的过程中，采用一层保护层先保护住阻变材料，再进行蚀刻或磨平,以便减少所述阻变层的侧壁损伤及保持所述阻变层的固定形状和固定侧壁氧浓度。能够有效减少制备过程中对于阻变层的损伤；同时，保持阻变层的固定形状和固定侧壁氧浓度，并通过尖端集中导电细丝形成的位置；本发明还公开了一种阻变元件以及具有其的阻变存储器。