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一种半导体集成电路器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202011171637.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112420921A 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN112420921A 申请公布日 2021-02-26
分类号 H01L45/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘宇;沈鼎瀛;康赐俊;邱泰玮;王丹云;单利军 申请（专利权）人 厦门半导体工业技术研发有限公司
代理机构 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括：第一电极，具有凸起的块状结构；阻变层，覆盖在所述块状结构的上表面和侧表面；储氧层，覆盖在所述阻变层的上表面和侧表面，其中，所述储氧层在与所述块状结构的上拐角处的厚度比其他位置处的厚度厚；第二电极，覆盖在所述储氧层的上表面和侧表面。由于块状结构在其上拐角处的电场分布更加集中，且这一位置处的储氧层较厚，更易于生成导电细丝。如此，可将导电细丝的形成位置控制在这一区域内，并在该半导体集成电路器件制造过程中避免了对阻变层的侧壁造成损伤的工艺，还进一步改进了导电细丝形成的稳定性。