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一种集成电路器件和其形成方法及电子设备

基本信息

申请号 CN202010408257.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111640862B 公开（公告）日 2021-04-16
申请公布号 CN111640862B 申请公布日 2021-04-16
分类号 H01L45/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邱泰玮;沈鼎瀛;康赐俊;刘宇;王丹云;单利军 申请（专利权）人 厦门半导体工业技术研发有限公司
代理机构 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 周伟
地址 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种集成电路器件和其形成方法及电子设备。集成电路器件包括：下部金属互联层，被下部介电层围绕；底部氧化层，设置在所述下部介电层上方；底部电极，设置在所述下部金属互联层上方，并且被所述底部氧化层围绕；电阻转换层，具有可变电阻，设置在所述底部电极上方；电阻转换层保护层，设置在所述底部氧化层上方，并且覆盖所述电阻转换层的侧面；阻氧层，设置在所述电阻转换层上方，并且覆盖所述电阻转换层的顶面；抓氧层，设置在所述阻氧层上方；顶部电极，设置在所述抓氧层上方。