一种电阻式存储器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911348857.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111029363B | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN111029363B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L27/24;H01L45/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈鼎瀛 | 申请（专利权）人 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 代理机构 | 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种电阻式存储器，用于提高该电阻式存储器的存储密度。上述电阻式存储器包括多个电阻式存储记忆胞，设置于一基板上，所述的电阻式存储记忆胞包括一第一可变阻抗单元和一第二可变阻抗单元，所述电阻式存储记忆胞还包括一第一开关单元和一第二开关单元。所述第一开关单元耦接于第一可变阻抗单元，所述第二开关单元耦接于第二可变阻抗单元。还包括一第三可变阻抗单元，所述第三可变阻抗单元耦接于第一开关单元或第二开关单元。本发明还涉及电阻式存储器的制备方法。 |
