一种半导体集成电路器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110293706.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130742A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130742A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单利军;康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 代理机构 | 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件在阻变层和第一电极之间增加了一层籽晶层，该籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。由于籽晶层的颗粒结构改变了阻变层的地势形态，使其呈现凹凸不平状，进而在凸起处更易形成多条导电细丝。籽晶层可利用沉积工艺，在成膜前的原子成核阶段形成颗粒结构。该颗粒结构分布较为分散，从而能促成多条导电细丝的生成，可用于实现存算一体（CIM）的忆阻器等更多应用场景。 |
