一种半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011340115.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112467030A | 公开（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申请公布号 | CN112467030A | 申请公布日 | 2021-03-09 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱泰玮;沈鼎瀛;相奇;钱鹤 | 申请（专利权）人 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 代理机构 | 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的第一电极包括多种电极材料所形成的多层级平板结构，且多层级平结构中的每一层均与第二电极垂直相对，使多层级平板结构中的每一层都相当于一个下电极与上电极产生相应的电场，从而在通电时，可在阻变层内形成多条通道，并使导电细丝的形成控制在每个独立的通道内。如此，可以使导电细丝在形成时分布更为均匀；此外，在每个独立通道内形成的导电细丝可以形成多组导电细丝，进而更有利于实现多阶阻值，可应用在存算一体(CIM)的忆阻器等更多应用场景。 |
