一种半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011564605.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112687793A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112687793A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱泰玮;单利军;沈鼎瀛 | 申请（专利权）人 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 代理机构 | 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的底部电极层，所述底部电极层中具有垂直于所述半导体衬底的上表面的底电极；位于所述底部电极层之上的阻变层；位于所述阻变层之上的顶电极；覆盖所述阻变层和顶电极侧壁的隔氧保护层。 |
