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一种半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202011336044.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112467029A 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN112467029A 申请公布日 2021-03-09
分类号 H01L45/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邱泰玮;沈鼎瀛;康赐俊;刘宇 申请（专利权）人 厦门半导体工业技术研发有限公司
代理机构 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 江宇
地址 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的顶电极和底电极中至少有一个电极包括多种电极材料所形成的多层级结构，且多层级结构中的每一层均与阻变层平行。采用上述结构可使多层级结构中每一层电极材料薄膜的厚度变薄，减少晶柱的产生，使电极表面更为光滑和平整，进而使导电细丝在形成时分布更为均匀；此外，上述结构因为粒径更小，更易于通过沉积各层电极材料的过程填补上一层电极材料中的缝隙，且每一层均与所述阻变层平行，可形成阻拦氧逃逸的多层屏障，增强了产品的耐用性。